|
|
(Erasable PROM) nella quale i diodi della sezione OR sono sostituiti da transistori MOS a gate sommerso, che si comportano da corti circuiti o da circuiti aperti a seconda che nel gate sommerso siano o meno presenti cariche elettriche intrappolate. La programmazione avviene forzando tali cariche nel gate sommerso mediante tensioni impulsive applicate ai piedini del dispositivo. La cancellazione (quindi il ripristino delle condizioni iniziali) avviene esponendo il dispositivo (provvisto di un’opportuna finestrella) a luce ultravioletta, che fornisce alle cariche intrappolate l’energia sufficiente a sfuggire. Per riscrivere un EPROM è quindi necessario prima cancellarla. Per far questo va tolto il chip dal suo alloggiamento e posto sotto ad una luce ultravioletta ad una frequenza di 253.7, prodotta da un quarzo che cancella l'intera EPROM in alcuni minuti (senza alcuna possibilità di selezione delle celle).
Tutto quanto riportato in questa pagina è a puro scopo informativo personale. Se non ti trovi in accordo con quanto riportato nella pagina, vuoi fare delle precisazioni, vuoi fare delle aggiunte o hai delle proposte e dei consigli da dare, puoi farlo mandando un email. Ogni indicazione è fondamentale per la continua crescita del sito.